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光ピックアップ装置 专利
专利号: JP2010287294A, 申请日期: 2010-12-24, 公开日期: 2010-12-24
作者:  稲葉 安信;  岩井 正人;  小原 雅人;  内尾 政俊;  和田 光教
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半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP2009130245A, 申请日期: 2009-06-11, 公开日期: 2009-06-11
作者:  中西 寿美代;  三宅 輝明;  中島 健二;  河本 清時;  岩本 学
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一种锗量子点的制备方法 专利
专利号: CN101388324A, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-03-18
作者:  张永;  李成;  廖凌宏;  陈松岩;  赖虹凯
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半導体レーザ素子の形成方法 专利
专利号: JP2008186828A, 申请日期: 2008-08-14, 公开日期: 2008-08-14
作者:  中西 寿美代;  三宅 輝明;  中島 健二;  岩本 学;  河本 清時
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半導体レーザ装置およびレーザ反射膜の製造方法 专利
专利号: JP2007080988A, 申请日期: 2007-03-29, 公开日期: 2007-03-29
作者:  小原 直樹;  竹原 浩成;  岩井 誉貴;  安川 久忠
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光半導体装置および光半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP2007035687A, 申请日期: 2007-02-08, 公开日期: 2007-02-08
作者:  吉村 明夫;  岩元 伸行;  小原 直樹
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半導体レーザ装置とその製造方法、および光ピックアップ装置 专利
专利号: JP2006191135A, 申请日期: 2006-07-20, 公开日期: 2006-07-20
作者:  小原 直樹;  松田 俊夫;  岩元 伸行;  高森 晃
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リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2006086218A, 申请日期: 2006-03-30, 公开日期: 2006-03-30
作者:  大櫃 義徳;  橋本 隆宏;  辻井 宏行;  喜根井 聡文;  大島 昇
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半導体レーザ 专利
专利号: JP3285079B2, 申请日期: 2002-03-08, 公开日期: 2002-05-27
作者:  屋敷 健一郎;  山崎 裕幸;  岩田 普
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3234282B2, 申请日期: 2001-09-21, 公开日期: 2001-12-04
作者:  勝見 隆一;  岩瀬 正幸;  菊田 俊夫
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