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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector 期刊论文 OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 49, 期号: 4 作者:  Huang B;  Xu JT;  Wang L;  Zhang Y;  Li XY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  Ultraviolet photodetector  Simulation  Responsivity   Distinct Photocurrent Response of Individual GaAs Nanowires Induced by n-Type Doping 期刊论文 ACS NANO, 2012, 卷号: 6, 期号: 7 作者:  Xia, H;  Lu, ZY;  Li, TX;  Parkinson, P;  Liao, ZM 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18