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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：沈阳自动化研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design 会议论文 Guilin, China, June 4-6, 2021 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Xie C(谢闯);  Yang ZJ(杨志家) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/02/04 ballistic transport  compact model  integrated-cricuit design  sub-7 nm GAA MOSFET  the source-drain tunneling   Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect 会议论文 Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Yang ZJ(杨志家);  Zhang ZP(张志鹏) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/08/01 Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic Gate-All-Around MOSFET Including the Source-to-drain Tunneling 会议论文 Male, Maldives, March 6-8, 2018 作者:  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家);  Cheng H(程贺);  Zhang ZP(张志鹏) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/07/01 A modularized noise analysis method with its application in readout circuit design 期刊论文 VLSI Design, 2015, 卷号: 2015, 页码: 1-10 作者:  Wang X(王霄);  Shi ZL(史泽林);  Xu BS(徐保树) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/10/23 A new CDS structure for high density FPA with low power 期刊论文 VLSI Design, 2015, 卷号: 2015, 页码: 1-7 作者:  Wang X(王霄);  Shi ZL(史泽林) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/03/30