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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [2]
2009 [1]
2006 [2]
1992 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
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专题:半导体研究所
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Metal electrode influence on the wet selective etching of gaas/algaas
期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wang Jie
;
Han Qin
;
Yang Xiao-Hong
;
Wang Xiu-Ping
;
Ni Hai-Qiao
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浏览/下载:120/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Chromium alloys
Copper alloys
Electrochemical analysis
Electrochemical electrodes
Etching
Gallium arsenide
Gold alloys
Iii-v semiconductors
Metallic thin films
Titanium alloys
Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 41208
Wang J
;
Han Q
;
Yang XH
;
Wang XP
;
Ni HQ
;
He JF
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS
III-V SEMICONDUCTORS
PSEUDOMORPHIC MODFETS
GAAS
FABRICATION
TRANSISTOR
ALGAAS
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
  |  
提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
INTERFACIAL REACTIONS IN THE CO/SI/GAAS AND SI/CO/GAAS SYSTEMS
期刊论文
journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1992, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 1020-1028
HSU CC
;
JIN GL
;
HO J
;
CHEN WD
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
THIN-FILMS
GAAS
CO
SI
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