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半导体研究所 [34]
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期刊论文 [30]
会议论文 [4]
发表日期
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专题:半导体研究所
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Study on the thermal imaging application of quantum cascade detectors
期刊论文
infrared physics & technology, 2014, 卷号: 63, 页码: 17-21
Zhai, SQ
;
Liu, JQ
;
Wang, XJ
;
Tan, S
;
Liu, FQ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/04/02
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
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浏览/下载:82/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Electromagnetic resonance in nanosandwich photonic metamaterial
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8579-8583
Fu FY
;
Chen W
;
Zhou WJ
;
Liu AJ
;
Xing MX
;
Wang YF
;
Zheng WH
收藏
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浏览/下载:55/2
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提交时间:2011/07/06
nanosandwich structures
magnetic plasmon modes
metamaterial
magnetic resonance
LIGHT
Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414
作者:
Xue CL
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/04/05
Erbium silicate
Photoluminescence
Si photonics
WAVE-GUIDE AMPLIFIERS
CRYSTALLINE FILMS
ERBIUM SILICATE
ENERGY-TRANSFER
SI
ER3+
EXCITATION
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Optical modulator based on a Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 asymmetric superlattice structure
期刊论文
laser physics, 2008, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 438-441
Tu X
;
Zuo Y
;
Chen S
;
Zhao L
;
Yu J
;
Wang Q
收藏
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2010/03/08
SILICON
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
收藏
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浏览/下载:72/3
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
conference on advanced materials and devices for sensing and imaging iii, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/03/09
hydrogen sensor
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky diode
Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285
Kazanskii, AG
;
Kong, GL
;
Zeng, XB
;
Hao, HY
;
Liu, FZ
收藏
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浏览/下载:106/29
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提交时间:2010/03/08
silicon
conductivity
chemical vapor deposition
microcrystallinity
absorption
photoconductivity
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
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