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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Graded index profiles and loss-induced single-mode characteristics in vertical-cavity surface-emitting lasers with petal-shape holey structure 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.24204 作者:  Jiang B 收藏  |  浏览/下载：67/7  |  提交时间：2011/07/06 vertical-cavity surface-emitting lasers  single mode  low divergence angle  graded index profile  OPTICAL INTERCONNECTS  QUANTUM-DOT  WAVE-GUIDE  VCSELS  POWER  FIELD  OPERATION  OXIDATION  DESIGN  FIBERS   Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104 作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：193/56  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  quantum dots  hopping  stretched-exponential decay  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-ACTIVATION  LUMINESCENCE  TRANSITIONS  RELAXATION  SILICON  LAYERS   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE