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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2006 [2]
1998 [2]
学科主题
光电子学 [4]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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Fabrication of biomimic GaAs subwavelength grating structures for broadband and angular-independent antireflection
期刊论文
microelectronic engineering, 2011, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 2889-2893
Chen X
;
Fan ZC
;
Xu Y
;
Song GF
;
Chen LH
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2012/02/06
INTERFERENCE LITHOGRAPHY
PHOTORESIST GRATINGS
PROFILE
LIGHT
NANOSTRUCTURES
REFLECTION
REDUCTION
ARRAY
SI
Pseudo-Rhombus-Shaped Subwavelength Crossed Gratings of GaAs for Broadband Antireflection
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: article no.124210
作者:
Chen X
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浏览/下载:62/5
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提交时间:2011/07/06
SILICON
REFLECTION
ABSORPTION
LIGHT
Fabry-Perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with InGaAs/GaAs heterostructure
期刊论文
optics express, 2009, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 9337-9346
作者:
Chen P
;
Zhang L
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/08
BUILDING-BLOCKS
WAVE-GUIDES
GAAS
TEMPERATURE
WAVELENGTH
LASERS
INP
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
InP
Si
X-ray double crystalline diffraction
thermal strain
wafer bonding
OPTOELECTRONIC DEVICES
EPITAXIAL OVERGROWTHS
TEMPERATURE
INTERFACE
STRESSES
VCSELS
SURFACES
ENERGY
Effect of reflectivity at the interface of oxide layer on transverse mode control in oxide confined vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
Journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 7, 页码: 3769-3772
作者:
Huang, YZ
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提交时间:2019/05/12
Effect of reflectivity at the interface of oxide layer on transverse mode control in oxide confined vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 7, 页码: 3769-3772
Huang YZ
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
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