QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High phosphorous doping and morphological evolution during si growth by gas source molecular beam epitaxy (gsmbe) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  Surface morphology  Morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  DEPOSITION