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Optical bistability in gainasp/inp coupled-circular resonator microlasers 期刊论文
Optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 17, 页码: 3515-3517
作者:  Lin, Jian-Dong;  Huang, Yong-Zhen;  Yang, Yue-De;  Yao, Qi-Feng;  Lv, Xiao-Meng
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Squeeze effect and coherent coupling behaviour in photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 8
作者:  Liu, An-Jin;  Chen, Wei;  Zhou, Wen-Jun;  Jiang, Bin;  Fu, Feiya
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures 期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2011/07/05
Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文
journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57
Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG
收藏  |  浏览/下载：72/5  |  提交时间：2011/07/05
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q.
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：94/4  |  提交时间：2011/07/05
High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-
Wang, ZC; Jin, P; Lv, XQ; Li, XK; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/02/06
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2011/07/05
Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE(2)-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 35, 页码: 355101
Cui M; Zhou TF; Wang MR; Huang J; Huang HJ; Zhang JP; Xu K; Yang H
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Enhancement of light trapping in thin-film solar cells through Ag 期刊论文
chinese optics letters, 2011, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: article no.32901
作者:  Zhang H;  Yin ZG;  Zhang XW;  Huang TM
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2011/07/05

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