×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [158]
内容类型
期刊论文 [138]
会议论文 [20]
发表日期
2011 [11]
2010 [6]
2009 [7]
2008 [10]
2007 [2]
2006 [13]
更多...
学科主题
半导体物理 [63]
半导体材料 [58]
光电子学 [22]
半导体化学 [4]
半导体器件 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共158条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Growth simulations of self-assembled nanowires on stepped substrates
期刊论文
Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
作者:
Liang, Song
;
Kong, Duanhua
;
Zhu, Hongliang
;
Wang, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Kinetic monte carlo (kmc) simulations
Self-assembled nanowires
Stepped substrates
Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-zn4sb3: an ab initio theoretical study
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Chen, Weibing
;
Li, Jingbo
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effects of ultra-low al alloying in(al) as layer on the formation and evolution of inas/gaas quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 6
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Li, T. F.
;
Zhou, G. Y.
;
Zhang, H. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
收藏
  |  
浏览/下载:53/5
  |  
提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:100/6
  |  
提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
  |  
浏览/下载:54/5
  |  
提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:94/7
  |  
提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Zhang B
收藏
  |  
浏览/下载:65/2
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CORE-LEVEL PHOTOEMISSION
SB-DOPED SNO2
INN
GROWTH
GAN
NAXWO3
ALLOYS
GREEN
STATE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace