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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MnSb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114 Xiu HX; Chen NF; Peng CT 收藏  |  浏览/下载：337/6  |  提交时间：2010/08/12 physical vapor deposition processes  manganese antimonide  porous silicon  POROUS-SILICON  FILMS  MNSB  EPITAXY   Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS