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半导体研究所 [62]
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期刊论文 [56]
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Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:65/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
收藏
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浏览/下载:39/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
收藏
  |  
浏览/下载:95/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
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浏览/下载:93/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Influence of growth temperature on structural and magnetic characterization of (In, Cr)As quantum dots
期刊论文
physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 15, 页码: 1379-1382
作者:
Chen L
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浏览/下载:243/73
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提交时间:2010/03/08
(In Cr)As quantum dots
Magnetic semiconductor
Molecular-beam epitaxy
Multiple valley couplings in nanometer si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
期刊论文
Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 5
作者:
Deng, Hui-Xiong
;
Jiang, Xiang-Wei
;
Luo, Jun-Wei
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
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