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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：78/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power   Algan/aln/gan/sic hemt structure with high mobility gan thin layer as channel grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298, 页码: 835-839 作者:  Wang, Xiaoliang;  Hu, Guoxin;  Ma, Zhiyong;  Ran, Junxue;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 2deg  Mocvd  Algan/gan  Hemt  Power device   AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839 Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Ma ZY (Ma Zhiyong); Ran JX (Ran Junxue); Wang CM (Wang Cuimei); Mao HL (Mao Hongling); Tang H (Tang Han); Li HP (Li Hanping); Wang JX (Wang Junxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Jinmin LM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 2DEG   AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏  |  浏览/下载：152/11  |  提交时间：2010/11/23 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 88-91 邵刚; 刘新宇; 和致经; 刘健; 魏珂; 陈晓娟; 吴德馨; 王晓亮; 陈宏 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 期刊论文 science in china series f-information sciences, 2005, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 808-814 Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Ran JX; Fang CB; Li JP; Zeng YP; Li JM; Liu XY; Liu J; Qian H 收藏  |  浏览/下载：326/7  |  提交时间：2010/04/11 HEMT  GaN  MOCVD  power device  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SURFACE PASSIVATION