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半导体研究所 [27]
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期刊论文 [13]
专利 [10]
学位论文 [4]
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专题:半导体研究所
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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
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浏览/下载:462/0
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
异质结构
二维空穴气
二维电子气
高电子迁移率晶体管
锗/硅雪崩光电探测器的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
武文周
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2017/06/05
硅基光电子
锗硅
近红外
雪崩光电探测器
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
陈卉
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浏览/下载:164/0
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提交时间:2016/05/31
纳米半导体材料
本征缺陷
掺杂原子
电子性质
磁性
应变
第一性原理计算
II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
张理嫩
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2014/06/04
II-VI族半导体
分子束外延
离子注入
计算模拟
p型掺杂
246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制
期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
作者:
陈良惠
;
赵德刚
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颜廷静
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/08/16
GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
作者:
王兵
;
李志聪
;
梁萌
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2011/08/16
制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
韩培德
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/08/12
微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 5, 页码: 2915-2919
许颖
;
刁宏伟
;
张世斌
;
励旭东
;
曾湘波
;
王文静
;
廖显伯
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
焦春美
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浏览/下载:100/9
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提交时间:2009/06/11
高质量InAs单晶材料的制备及其性质
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1391-1395
赵有文
;
孙文荣
;
段满龙
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董志远
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杨子祥
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吕旭如
;
王应利
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/11/23
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