×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [168]
内容类型
期刊论文 [149]
会议论文 [19]
发表日期
2019 [2]
2018 [2]
2015 [1]
2011 [13]
2010 [14]
2009 [7]
更多...
学科主题
半导体材料 [69]
半导体物理 [26]
光电子学 [18]
半导体化学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共168条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure
期刊论文
Electronics, 2019, 卷号: 8, 页码: 241
作者:
Huolin Huang
;
Feiyu Li
;
Zhonghao Sun
;
Nan Sun
;
Feng Zhang
;
Yaqing Cao
;
Hui Zhang Pengcheng Tao
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2020/07/30
III-Nitride Deep UV LED Without Electron Blocking Layer
期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2019, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 8200511
作者:
Zhongjie Ren
;
Yi Lu
;
Hsin-Hung Yao
;
Haiding Sun
;
Che-Hao Liao
;
Jiangnan Dai
;
Changqing Chen
;
Jae-Hyun Ryou
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Xiaohang Li
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2020/08/05
High-performance deep ultraviolet photodetectors based on few-layer hexagonal boron nitride
期刊论文
Nanoscale, 2018, 卷号: 10, 期号: 12, 页码: 5559-5565
作者:
Heng Liu
;
Junhua Meng
;
Xingwang Zhang
;
Yanan Chen
;
Zhigang Yin
;
Denggui Wang
;
Ye Wang
;
Jingbi You
;
Menglei Gao
;
Peng Jin
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/11/15
Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 114004
作者:
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Liancheng Wang
;
Tongbo Wei
;
Guodong Yuan
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Yi Shi
;
Yong Zhang
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Controlled growth of few-layer hexagonal boron nitride on copper foils using ion beam sputtering
期刊论文
small, 2015, 卷号: 11, 期号: 13, 页码: 1542–1547
Haolin Wang
;
Xingwang Zhang
;
Junhua Meng
;
Zhigang Yin
;
Xin Liu
;
Yajuan Zhao
;
Liuqi Zhang
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2016/03/23
Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
收藏
  |  
浏览/下载:173/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
Algan alloys
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5
作者:
Fu, D.
;
Zhang, R.
;
Liu, B.
;
Xie, Z. L.
;
Xiu, X. Q.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Wang, Jun
;
Jia, Caihong
;
Liu, Jianming
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
A-plane inn
Theoretical study of polarization-doped gan-based light-emitting diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Liu, N. X.
;
Wei, T. B.
;
Ji, X. L.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:119/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace