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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104 Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/12/28 LIGHT-EMITTING-DIODES  WURTZITE SEMICONDUCTORS  QUANTUM-WELLS  MATRIX-ELEMENTS  SEMIPOLAR  SAPPHIRE   Strain effects on the optical polarization properties of r-plane wurtzite gan 期刊论文 Japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 5 作者:  Hao, Guo-Dong;  Chen, Yong-Hai;  Hao, Ya-Fei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：129/28  |  提交时间：2010/03/08 CONTINUOUS-WAVE OPERATION  QUANTUM-WELLS  LASER-DIODES  ORIENTATION  SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  ANISOTROPY  SEMIPOLAR  SAPPHIRE  FILMS   Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  gallium arsenide  III-V semiconductors  internal stresses  reflectivity  semiconductor heterojunctions  semiconductor quantum wells   Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering 期刊论文 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143 Zhou SQ (Zhou Shengqiang); Wu MF (Wu M. F.); Yao SD (Yao S. D.); Zhang BS (Zhang B. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  superlattice  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  OPTICAL-PROPERTIES  INGAN/GAN  STRAIN  INTERFACE  GROWTH  GAN   INPLANE X-RAY-SCATTERING OF EPITAXIAL STRUCTURES 期刊论文 journal of crystal growth, 1995, 卷号: 152, 期号: 4, 页码: 354-358 CUI SF; WANG YT; ZHUANG Y; LI M; MAI ZH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/17 STRAIN RELAXATION  HETEROEPITAXIAL LAYERS  DEVICE STRUCTURES  ROCKING CURVES  SUPERLATTICES  DIFFRACTION  HETEROSTRUCTURES  MISFIT