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半导体研究所 [252]
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Real-time detection of cardiac troponin I and mechanism analysis of AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor biosensor
期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 115205
作者:
Jiaming Luo
;
Sufang Li
;
Mengke Xu
;
Min Guan
;
Mengxi Yang
;
Jingyi Ren
;
Yang Zhang
;
Yiping Zeng
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/05/21
Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 111001
作者:
Di Niu
;
Quan Wang
;
Wei Li
;
Changxi Chen
;
Jiankai Xu
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hongling Xiao
;
Qian Wang
;
Xiangang Xu
;
Xiaoliang Wang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/05/24
A type-II GaSe/HfS 2 van der Waals heterostructure as promising photocatalyst with high carrier mobility
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 534, 页码: 147607
作者:
Obeid, MM (Obeid, Mohammed M.)
;
Bafekry, A (Bafekry, Asadollah)
;
Rehman, SU (Rehman, Sajid Ur)
;
Nguyen, CV (Nguyen, Chuong, V)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/05/21
Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/ GaN-based high electron mobility transistors
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2019, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 125006
作者:
Weizhen Yao
;
Lianshan Wang
;
Fangzheng Li
;
Yulin Meng
;
Shaoyan Yang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/07/30
Band-like transport in small-molecule thin films toward high mobility and ultrahigh detectivity phototransistor arrays
期刊论文
Nature Communications, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 12
作者:
Deyang Ji
;
Tao Li
;
Jie Liu
;
Saeed Amirjalayer
;
Mianzeng Zhong
;
Zhao-Yang Zhang
;
Xianhui Huang
;
Zhongming Wei
;
Huanli Dong
;
Wenping Hu
;
Harald Fuchs
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/07/30
Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/ GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 34, 页码: 345102
作者:
Huang Huolin
;
Sun Zhonghao
;
Cao Yaqing
;
Li Feiyu
;
Zhang Feng
;
Wen Zhengxin
;
Zhang Zifeng
;
Liang Yung C.
;
Hu Lizhong
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/11/15
Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer
期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 185-189
作者:
Meilan Hao
;
Quan Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Changxi Chen
;
Cuimei Wang
;
Hongling Xiao
;
Fengqi Liu
;
Xiangang Xu
;
Xiaoliang Wang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/11/15
Fabrication of high-hole-mobility germanium-on-insulator wafers through an easy method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 750, 页码: 182-188
作者:
Kai Yu
;
Fan Yang
;
Hui Cong
;
Lin Zhou
;
Qingyun Liu
;
Lichun Zhang
;
Buwen Cheng
;
Chunlai Xue
;
Yuhua Zuo
;
Chuanbo Li
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/11/19
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 662, 页码: 16-19
X.G. He
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
J.J. Zhu
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
J. Yang
;
X.J. Li
;
J.P. Liu
;
L.Q. Zhang
;
H. Yang
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/03/10
High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459
Xiangting Kong
;
Xuliang Zhou
;
Shiyan Li
;
Hudong Chang
;
Honggang Liu
;
Jing Wang
;
Renrong Liang
;
Wei Wang
;
Jiaoqing Pan
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/03/23
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