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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  INVERSION DOMAINS  HIGH-TEMPERATURE  GAN  SI(111)  ALN  SAPPHIRE   Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer 期刊论文 ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 114007 Li, Zhicong; Li, Panpan; Wang, Bing; Li, Hongjian; Liang, Meng; Yao, Ran; Li, Jing; Deng, Yuanming; Yi, Xiaoyan; Wang, Guohong; Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/14 Diodes  Electrostatic devices  Electrostatic discharge  Gallium alloys  Gallium nitride  Light emission   Chemical composition and elastic strain in alingan quaternary films 期刊论文 Thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432 作者:  Zhou, Shengqiang;  Wu, M. F.;  Yao, S. D.;  Liu, J. P.;  Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Rutherford backscattering spectroscopy  Stress  X-ray diffraction  Quaternary compounds  Iii-v semiconductors   Quasi-thermo dynamic analysis of movpe growth of gaxalyin1-x-yn 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 作者:  Lu, DC;  Duan, SK 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Computer simulation  Molecular vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting quaternary alloys   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN