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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：71/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 Lin, T; Zheng, K; Wang, CL; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：38/3  |  提交时间：2010/03/08 diffusion  metalorganic vapor phase epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE   Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InGaAs/GaAs  quantum wells  interdiffusion  quantum dots  MBE  DOT SUPERLATTICE   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES