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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
1998 [2]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
New method for the growth of highly uniform quantum dots
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
New method for the growth of highly uniform quantum dots
期刊论文
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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