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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth of sic on si substrates with c2h4 and si2h6 期刊论文 Applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Lin, LY;  Zhang, FF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Si  Sic  Epitaxial growth  Rheed  Raman spectrum   The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  epitaxial growth  RHEED  Raman spectrum  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SILICON  SURFACES  FILMS  LAYER  MOLECULAR-BEAM EPITAXY