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二次退火制备I I I-V族半导体量子点 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
作者:  金鹏
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2011/08/16
室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2390-2395
作者:  杨少延
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2010/11/23
甚短距离光传输技术 专著
北京:科学出版社, 北京, 2005
陈弘达
收藏  |  浏览/下载:74/0  |  提交时间:2009/09/19
Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
作者:  尹志岗
收藏  |  浏览/下载:130/16  |  提交时间:2010/11/23
离子注入法生长GaMnAs材料性质研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
王春华
收藏  |  浏览/下载:48/9  |  提交时间:2009/04/13
室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者:  杨少延
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2010/11/23
共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的转变 期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532
刘丰珍; 朱美芳; 刘涛; 李秉程
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2010/11/23
碳化硅PIN微结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
作者:  吴海雷
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2012/08/29


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