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半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [5]
专利 [1]
专著 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2005 [3]
2004 [1]
2002 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
光电子学 [1]
材料物理与化学 [1]
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专题:半导体研究所
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二次退火制备I I I-V族半导体量子点
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
作者:
金鹏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2011/08/16
室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2390-2395
作者:
杨少延
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
甚短距离光传输技术
专著
北京:科学出版社, 北京, 2005
陈弘达
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2009/09/19
Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究
期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 15-18
作者:
尹志岗
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浏览/下载:130/16
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提交时间:2010/11/23
离子注入法生长GaMnAs材料性质研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
王春华
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浏览/下载:48/9
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提交时间:2009/04/13
室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb
期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者:
杨少延
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的转变
期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532
刘丰珍
;
朱美芳
;
刘涛
;
李秉程
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
碳化硅PIN微结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
作者:
吴海雷
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提交时间:2012/08/29
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