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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比 期刊论文 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/23 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 汪明; 杨涛 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/09 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 作者:  杨晓光 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/08/31 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 作者:  汪洋 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/08/31