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半导体研究所 [35]
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专题:半导体研究所
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半极性GaN的湿法腐蚀特性与生长研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
文玲
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/11/30
图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
张璐
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/06/01
Si
GaN
湿法腐蚀
MOCVD
半极性面
多量子阱
正装结构LED
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
王克超
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/05/30
硅
氮化镓
外延
单芯片
白光LED
湿法腐蚀
多量子阱
MOCVD
纳米线阵列
半极性面
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
赵德刚
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张书明
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/08/12
倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-30, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
潘教青
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浏览/下载:173/0
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提交时间:2010/08/12
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
徐波
收藏
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浏览/下载:158/5
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提交时间:2009/06/11
采用单步光刻和湿法腐蚀工艺制作高性能衍射微透镜
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1625-1629
作者:
季安
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
王晓峰
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曾一平
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孙国胜
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黄风义
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王雷
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赵万顺
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2009/06/11
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