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科研机构
西安理工大学 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2000 [1]
1997 [1]
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SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路
期刊论文
2019, 页码: 17-20
作者:
乔小可
;
杨媛
;
王庆军
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
金属-氧化物半导体场效应晶体管
开关特性
驱动电路
功率 MOSFET 新结构及其工艺研究
学位论文
: 西安理工大学, 2009
作者:
孙承
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
金属-氧化物半导体场效应晶体管
结构参数
优化设计
制造工艺
深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
期刊论文
2008, 卷号: 28, 页码: 133-137
作者:
高勇
;
冯松
;
杨媛
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/25
深亚微米
绝缘体上硅
金属氧化物半导体场效应晶体管
参数提取
用辅助电路提高同步整流电源的效率
期刊论文
2000, 卷号: 34, 页码: 13-15,55
作者:
王华民
;
陈治明
;
T.Reimann
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/25
效率/金属氧化物半导体场效应晶体管
同步整流
通态功耗
大功率复合器件的 PSPICE 模拟
期刊论文
1997, 页码: 87-89
作者:
周宝霞
;
陈治明
;
周如培
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/25
模拟/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅门极晶闸管
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