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华南理工大学 [2]
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The Immunity of Doping-less Junctionless Transistor Variations Including the Line Edge Roughness (CPCI-S收录)
会议
作者:
Wan, Wenbo[1]
;
Lou, Haijun[1,2]
;
Xiao, Ying[1]
;
Lin, Xinnan[1]
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提交时间:2019/04/11
charge-plasma
Junctionless
LER
variation
A Generalized Model to Predict Fin-Width Roughness Induced FinFET Device Variability Using the Boundary Perturbation Method (CPCI-S收录)
会议论文
DESIGN-PROCESS-TECHNOLOGY CO-OPTIMIZATION FOR MANUFACTURABILITY VIII
作者:
Cheng, Qi[1]
;
You, Jun[1]
;
Chen, Yijian[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/12
FinFET
device variability
fin-width roughness (FWR)
line-edge roughness (LER)
Poisson's equation
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