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华南理工大学 [3]
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Compact Modeling of Fin-Width Roughness Induced FinFET Device Variability Using the Perturbation Method (CPCI-S收录)
会议论文
DESIGN FOR MANUFACTURABILITY THROUGH DESIGN-PROCESS INTEGRATION VII
作者:
Cheng, Qi[1]
;
Kang, Weiling[1]
;
Chen, Yijian[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/04/15
FinFET
fin-width roughness (FWR)
short-channel model
DIBL
perturbation method
Characteristics Sensitivity of FinFET to Fin Vertical Nonuniformity (CPCI-S收录)
会议论文
NANOTECHNOLOGY 2011: ELECTRONICS, DEVICES, FABRICATION, MEMS, FLUIDICS AND COMPUTATIONAL, NSTI-NANOTECH 2011, VOL 2
作者:
Xu, Jiaojiao[2,3]
;
Ma, Chenyue[3]
;
Zhang, Chenfei[3]
;
Zhang, Xiufang[3]
;
Wu, Wen[1]
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/04/15
FinFET device
process fluctuation
vertical nonuniformity
performance variation
A Generalized Model to Predict Fin-Width Roughness Induced FinFET Device Variability Using the Boundary Perturbation Method (CPCI-S收录)
会议论文
DESIGN-PROCESS-TECHNOLOGY CO-OPTIMIZATION FOR MANUFACTURABILITY VIII
作者:
Cheng, Qi[1]
;
You, Jun[1]
;
Chen, Yijian[1]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/12
FinFET
device variability
fin-width roughness (FWR)
line-edge roughness (LER)
Poisson's equation
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