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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al_2O_3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 334, 期号: 1, 页码: 62-66 作者:  Lei Zhang;  Yongliang Shao;  Xiaopeng Hao;  Yongzhong Wu;  Shuang Qu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 A1. stresses  A3. hydride vapor phase epitaxy  B1. gallium compounds  B1. nitrides  B2. semiconducting iii-v materials   Hydroxyl-promoted synthesis of GaN nanorods on SBA-15 surface 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 2, 页码: 527-532 作者:  Gai LG;  Chen Z;  Jiang HH;  Tian Y;  Wang QL 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/03 hydroxyl-promoted synthesis on SBA-15  solvothermal method  photoluminescence  semiconducting gallium compounds  LIQUID-SOLID GROWTH  GALLIUM NITRIDE  MESOPOROUS SILICA  YELLOW LUMINESCENCE  METAL NANOWIRES  ROUTE  NANOTUBES  ALUMINUM  SEMICONDUCTORS  PRECURSORS