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科研机构
山东大学 [16]
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期刊论文 [16]
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2018 [1]
2016 [6]
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2014 [1]
2013 [4]
2012 [2]
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Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2018, 卷号: 203, 页码: 216-221
作者:
Xu, Xinglian
;
Wang, Qiang
;
Li, Changfu
;
Ji, Ziwu
;
Xu, Mingsheng
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/11
Localisation effect
Nanopillars LED
Phase-separation
Strain
relaxation
Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2016, 期号: 08, 页码: 106
作者:
Lv HY(吕海燕)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Wang Q(王强)
;
Li JF(李建飞)
;
Feng ZH(冯志红)
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/16
Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2016, 卷号: 14, 期号: 4
作者:
Lu, Haiyan
;
Lu, Yuanjie
;
Wang, Qiang
;
Li, Jianfei
;
Feng, Zhihong
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/16
Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2016, 卷号: 14, 期号: 8
作者:
Haiyan
;
, Yuanjie
;
Wang, Qiang
;
Li, Jianfei
;
Feng, Zhihong
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/16
Corrigendum-influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells (vol 14, 042302, 2016)
期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2016, 卷号: 14, 期号: 8
作者:
Lu, Haiyan
;
Lu, Yuanjie
;
Wang, Qiang
;
Li, Jianfei
;
Feng, Zhihong
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/16
Influence of the InGaN/GaN quasi-superlattice underlying layer on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2016, 卷号: 76, 页码: 1-5
作者:
Mu, Qi
;
Xu, Mingsheng
;
Wang, Xuesong
;
Wang, Qiang
;
Lv, Yuanjie
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/16
Photoluminescence
Localization effect
Strain release
Quasi-superlattice underlying layer
Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2016, 期号: 04, 页码: 77-81
作者:
Lv HY(吕海燕)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Wang Q(王强)
;
Li JF(李建飞)
;
Feng ZH(冯志红)
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/16
InGaN
Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells
QDs
Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 2
作者:
Wang Qiang
;
Ji Zi-Wu
;
Wang Fan
;
Mu Qi
;
Zheng Yu-Jun
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/17
photoluminescence
InGaN quantum wells
phase separation
Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
期刊论文
中国物理B:英文版, 2015, 期号: 02
作者:
王强[1,2]
;
冀子武[1]
;
王帆[1]
;
牟奇[1]
;
郑雨军[1]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/17
INGAN
多量子阱结构
蓝色发光
相分离
励磁电源
温度
功率范围
量子点
Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2014, 卷号: 59, 页码: 56-59
作者:
Wang, Huining
;
Ji, Ziwu
;
Xiao, Hongdi
;
Wang, Mengqi
;
Qu, Shuang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
InGaN/GaN multiple-quantum-well
Light-emitting diode
Current-voltage
characteristics
Electroluminescence
Electron leakage
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