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山东大学 [26]
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Comparison Study of beta-Ga2O3 Photodetectors on Bulk Substrate and Sapphire
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 9, 页码: 3578-3583
作者:
Feng, Qian
;
Huang, Lu
;
Han, Genquan
;
Li, Fuguo
;
Li, Xiang
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提交时间:2019/12/17
Gallium compounds
photodetectors
wide bandgap semiconductors
High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 7-9, 2016, 卷号: 13, 期号: 7-9, 页码: 618-622
作者:
Yan, Linlong
;
Xin, Qian
;
Du, Lulu
;
Zhang, Jiawei
;
Luo, Yi
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
indium gallium zinc oxide (InGaZnO or IGZO)
Schottky diodes
radio-frequency magnetron sputtering
Morphology and growth mechanism of gallium nitride nanotowers synthesized by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 卷号: 563, 页码: 72-76
作者:
Cui, Jishi
;
Xiao, Hongdi
;
Liu, Jianqiang
;
Luan, Caina
;
Ji, Ziwu
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/23
Gallium nitride
Nanotowers
Ni islands
Growth mechanism
Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al_2O_3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 334, 期号: 1, 页码: 62-66
作者:
Lei Zhang
;
Yongliang Shao
;
Xiaopeng Hao
;
Yongzhong Wu
;
Shuang Qu
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/23
A1. stresses
A3. hydride vapor phase epitaxy
B1. gallium compounds
B1. nitrides
B2. semiconducting iii-v materials
Characterization of Disordered Melilite Nd:SrLaGa3O7 Crystal
期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2011, 卷号: 47, 期号: 12, 页码: 1506-1513
作者:
Zhang, Yuanyuan
;
Zhang, Huaijin
;
Yu, Haohai
;
Sun, Shangqian
;
Wang, Jiyang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/23
Gallium compounds
neodymium
optical materials
solid lasers
Terahertz electroluminescence from Be delta-doped GaAs/AlAs quantum well
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 2
作者:
Li, Su Mei
;
Zheng, Wei Min
;
Wu, Ai Ling
;
Cong, Wei Yan
;
Liu, Jing
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
aluminium compounds
gallium compounds
high electron mobility
transistors
III-V semiconductors
impurities
wide band gap
semiconductors
Ferromagnetism of undoped GaN mediated by through-bond spin polarization between nitrogen dangling bonds
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 16
作者:
Jin, Hao
;
Dai, Ying
;
Huang, BaiBiao
;
Whangbo, M. -H.
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
dangling bonds
density functional theory
ferromagnetic materials
gallium compounds
III-V semiconductors
nanoparticles
semimagnetic
semiconductors
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
Growth And Characterizations Of Calcium Tantalum Gallium Garnet Single Crystal
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 214-217
作者:
Shiyi Guo
;
Duorong Yuan
;
Xiqing Zhang
;
Xiufeng Cheng
;
Fapeng Yu
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
a1. crystal structures
a2. crystal growth
a2. czochralski method
b1. tantalum compounds
A simple process to synthesize sphere-shaped gadolinium gallium garnet nanoparticles for transparent ceramic
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2008, 卷号: 465, 期号: 1-2, 页码: 567-570
作者:
Yu, F. P.
;
Yuan, D. R.
;
Duan, X. L.
;
Guo, S. Y.
;
Wang, X. Q.
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
Nanostructures
Sol-gel synthesis
X-ray diffraction
Ultrasonics
Growth Of A New Laser Crystal Nd~(3+) Doped Calcium Tantalum Gallium Garnet By The Czochralski Method
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 22, 页码: 4685-4688
作者:
Shiyi Guo
;
Duorong Yuan
;
Xiufeng Cheng
;
Haohai Yu
;
Shangqian Sun
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
a2. czochralski method
a2. crystal growth
b1. calcium compounds
b1. gallium compounds
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