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| 一种氧化镓场效应晶体管日盲探测器 专利
申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
作者: 徐明升; 刘雅璇; 杜路路; 辛倩; 宋爱民
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| 一种氧化镓场效应晶体管日盲探测器及其制作工艺 专利
申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者: 徐明升; 刘雅璇; 杜路路; 辛倩; 宋爱民
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| 具有顶栅和底栅结构的氧化镓薄膜场效应晶体管 专利
申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2018-11-09
作者: 徐明升; 宋爱民; 辛倩; 刘雅璇; 杜璐璐
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| 一种顶栅石墨烯场效应晶体管及其制备方法 专利
申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 宋爱民; 杨乐陶; 王汉斌; 张锡健
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| 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法 专利
申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
作者: 林兆军; 赵景涛; 栾崇彪; 吕元杰; 杨铭
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| 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法 专利
申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
作者: 林兆军; 赵景涛; 栾崇彪; 吕元杰; 杨铭
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| Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 7, 页码: 645-648
作者: Lu Yuan-Jie; Feng Zhi-Hong; Lin Zhao-Jun; Guo Hong-Yu; Gu Guo-Dong
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| Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B：英文版, 2014, 期号: 04, 页码: 517-520
作者: 于英霞[1]; 林兆军[1]; 栾崇彪[1]; 吕元杰[2]; 冯志红[2]
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| 溶液法制备氧化铝介电薄膜及其场效应晶体管应用研究 会议论文
第十八届全国高技术陶瓷学术年会
作者: 张倩; 武岚涛; 王素梅; 周济
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| Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B：英文版, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 394-398
作者: 曹芝芳[1]; 林兆军[1]; 吕元杰[1]; 栾崇彪[1]; 王占国[2]
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