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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 17, 页码: 171905 作者:  Wang, XQ;  Liu, ST;  Ma, DY;  Zheng, XT;  Chen, G 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/04/08 Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using CsCl nano-islands 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2011, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 1065-1071 作者:  Wei, TB;  Kong, QF;  Wang, JX;  Li, J;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29 Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Sun, Q;  Zhang, JC;  Huang, Y;  Chen, J;  Wang, JF 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/06/29 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction   Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 1171-1176 作者:  Xu, PS;  Deng, R;  Pan, HB;  Xu, FQ;  Xie, CK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/29 GaN  surface polarity  photoelectron diffraction   GaN(0001)表面的电子结构研究 期刊论文 物理学报, 2002, 期号: 11, 页码: 2606-2611 作者:  谢长坤;  徐法强;  邓锐;  徐彭寿;  刘凤琴 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/12/25 GaN  角分辨光电发射  全势线性缀加平面波  电子结构   Studies on electronic structure of GaN(0001) surface 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2002, 卷号: 51, 期号: 11, 页码: 2606-2611 作者:  Xie, CK;  Xu, FQ;  Deng, R;  Xu, PS;  Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/06/29 GaN  ARPES  FPLAPW  electronic structure   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: #REF! 作者:  Zheng, XH;  Feng, ZH;  Wang, YT;  Zheng, WL;  Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides