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上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
学位论文 [1]
发表日期
1995 [1]
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MOCVD GaInP材料制备中新源TBP的物理化学及应用
学位论文
硕士: 中国科学院研究生院(上海冶金研究所) , 1995
毕戈雄
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/03/06
MOCVD
GaInP材料
制备
新源TBP
物理化学
应用
Ga<
0.51>
In<
0.50>
P外延层
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