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一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1564337, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2005-01-12
夏吉林; 宋志棠; 封松林
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一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法 成果
鉴定: 无, 2008
夏吉林; 宋志棠; 封松林
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2013/04/12
平板显示器用非晶金刚石薄膜制备技术 成果
鉴定: 无, 2001
柳襄怀; 王曦; 赵建平; 陈智颖; 茅东升; 李炜; 杨石奇; 郑志宏; 林梓鑫; 陈莉芝; 王惠民; 张福民
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磁隧道结及Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究 学位论文
硕士: 中国科学院上海冶金研究所  , 2000
潘强  
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界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 期刊论文
中国科学E辑:技术科学, 1999, 期号: 06
茅东升; 赵俊; 李炜; 王曦; 柳襄怀; 诸玉坤; 范忠; 周江云; 李琼; 徐静芳
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离子束辅助沉积氧化钛薄膜的合成及其血液相容性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  , 1997
张峰
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离子束增强沉积TiN薄膜及其界面的结构研究 期刊论文
自然科学进展, 1994, 期号: 02
程志英; 朱静; 柳襄怀; 王曦; 杨根庆
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钛零件与95%Al_2O_3瓷封接区域的物相研究 期刊论文
电子管技术, 1983, 期号: 02
黄景平
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