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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs triangular quantum wells for lasing wavelength beyond 2 mu m 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 3237-3240 Gu, Y; Zhang, YG(张永刚）; Liu, S 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  DIODE-LASERS   Difference of luminescent properties between strained InAsP/InP and strain-compensated InAsP/InGaAsP MQWs 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 96-102 Lei, HP; Wu, HZ; Lao, YF; Qi, M; Li, AZ; Shen, WZ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-WELLS  LASER-DIODES  TEMPERATURE-DEPENDENCE  BAND-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  SEMICONDUCTORS  POWER   Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560 Zhang, XH; Hu, YS; Wu, J; Cheng, ZQ; Xia, GQ; Xu, YS; Chen, ZH; Gui, YS; Chu, JH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SPACE-CHARGE-REGION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE-EPITAXY  INGAALP ALLOYS  LASER-DIODES  RECOMBINATION  EFFICIENCY  PHOTOLUMINESCENCE   MBE growth and characterization of high-quality GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum well structures 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 175, 页码: 873-876 Li, AZ; Zhao, Y; Zheng, YL; Chen, GT; Ru, GP; Shen, WZ; Zhong, JQ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25 DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASERS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DIODE-LASERS  MU-M  OPERATION   THE INFLUENCE OF HIGH-DOSE AND ELEVATED-TEMPERATURE IMPLANTATION ON PN-JUNCTION LEAKAGE CURRENT DURING RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1991, 卷号: 59, 页码: 1098-1102 ZHANG, TH; ZHOU, SH; WU, YG; LUO, Y; ZHOU, ZY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 DIFFUSION  SILICON