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科研机构
上海微系统与信息技... [12]
内容类型
期刊论文 [11]
学位论文 [1]
发表日期
2009 [4]
2007 [2]
2004 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1996 [2]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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75
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85
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Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/05/10
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM(重点实验室)
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
Nuclear Science & Technology
Physics
Nuclear
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried oxides by silicon ion implantation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 388-390
He, W
;
Zhang, ZX
;
Zhang, EX
;
Qian, C
;
Tian, H
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2012/03/24
Research on ion implantation effect on SIMOX material modification technique by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 199-202
Zhanga, EX
;
Zhang, ZX
;
Chen, J
;
Song, ZR
;
Yang, H
;
He, W
;
Tian, H
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDES
OXYGEN
NITROGEN
HARDNESS
DEFECTS
A-SIO2
Patterned buried oxide layers under a single MOSFET to improve the device performance
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: L25-L28
Dong, YM
;
Chen, M
;
Chen, J
;
Wang, X
;
Wang, X
;
He, P
;
Lin, X
;
Tian, LL
;
Li, ZJ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SOI MOSFETS
IMPLANTATION
SEPARATION
硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2001
多新中
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2012/03/06
硅集成电路
SOI技术
离子注入
物理效应
加速度传感器
Comparison of Cu gettering to H+ and He+ implantation-induced cavities in separation-by-implantation-of-oxygen wafers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 94-98
Zhang, MA
;
Lin, CL
;
Duo, XZ
;
Lin, ZX
;
Zhou, ZY
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/25
ION-IMPLANTATION
SILICON-OXIDES
COPPER
TECHNOLOGY
BREAKDOWN
NICKEL
CARBON
Transmission electron microscopy and spectroscopic ellipsometry studies of damage layer induced by large tilt angle ion implantation
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1996, 卷号: 143, 期号: 8, 页码: 2636-2640
He,ZP
;
Cristiano,F
;
Zhou,ZY
;
Qian,YH
;
Chen,LY
;
Lin,CL
;
Hemment,PLF
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/25
P+-N
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