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| 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02
顾溢; 张永刚
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| 一种制备悬空应变材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958238A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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| 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
顾溢; 张永刚
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| InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101685942, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
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| 微机械悬臂梁中的机械噪声机制分析 期刊论文
传感技术学报, 2007, 期号: 01
金大重; 李昕欣; 刘剑; 于海涛; 王跃林; 左国民; 李鹏
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| SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2006
狄增峰
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| 功率器件无铅焊料焊接层可靠性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2005
常俊玲
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| 1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究 会议论文
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议, 2004
吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋
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| SGOI新材料制备与PIII硅基发光材料研究 学位论文
博士, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2003
安正华
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2012/03/06
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