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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法 专利 专利号: CN200810240078.5, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2010-06-23 作者:  柳江;  刘舸;  刘明;  刘兴华;  商立伟 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应 期刊论文 电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 4,1535_1538 作者:  郭天雷;  宋文斌;  许高博;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗 Soi  鸟嘴效应  边缘电场效应  反向窄沟道效应  杂质重新分布