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微电子研究所 [8]
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专题:微电子研究所
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堆叠纳米线制造方法
专利
专利号: CN201310007063.5, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-07-09
作者:
殷华湘
;
马小龙
;
秦长亮
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/03/21
一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法
专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:
汤益丹
;
白云
;
李诚瞻
;
刘新宇
;
刘国友
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/03/07
基于湿法预释放结构的MEMS红外光源
专利
专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15,
作者:
王玮冰
;
陈大鹏
;
孙西龙
;
刘卫兵
;
明安杰
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/02/05
使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法
专利
专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23
作者:
秦长亮
;
叶甜春
;
殷华湘
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/10/21
单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法
专利
专利号: CN200510011988.2, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2006-12-27
作者:
陈大鹏
;
李超波
;
叶甜春
;
王玮冰
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/26
高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,69_72
作者:
濮林
;
龙世兵
;
刘明
;
郑有炓
;
陈杰智
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/05/26
单电子晶体管
库仑阻塞
库仑振荡
负微分电导
基于元胞自动机理论的硅各向异性腐蚀模型
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 5,1671-1675
作者:
施毅
;
李泠
;
陈杰智
;
郑有炓
;
刘明
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/05/26
元胞自动机
各向异性腐蚀
碰撞理论
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 5,406-410
作者:
王延
;
孙海峰
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/05/25
自对准工艺
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