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堆叠纳米线制造方法 专利
专利号: CN201310007063.5, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-07-09
作者:  殷华湘;  马小龙;  秦长亮
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一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:  汤益丹;  白云;  李诚瞻;  刘新宇;  刘国友
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基于湿法预释放结构的MEMS红外光源 专利
专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15,
作者:  王玮冰;  陈大鹏;  孙西龙;  刘卫兵;  明安杰
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使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 专利
专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23
作者:  秦长亮;  叶甜春;  殷华湘
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单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 专利
专利号: CN200510011988.2, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2006-12-27
作者:  陈大鹏;  李超波;  叶甜春;  王玮冰
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高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,69_72
作者:  濮林;  龙世兵;  刘明;  郑有炓;  陈杰智
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基于元胞自动机理论的硅各向异性腐蚀模型 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 5,1671-1675
作者:  施毅;  李泠;  陈杰智;  郑有炓;  刘明
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自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 5,406-410
作者:  王延;  孙海峰
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