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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法 专利 专利号: CN201110409784.X, 公开日期: 2013-06-19 作者:  李海亮;  李冬梅;  朱效立;  史丽娜;  刘明 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2012/11/20