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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210258854.0, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-02-12
作者: 陈大鹏; 闫江; 殷华湘
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| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201310729611.5, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2015-07-01
作者: 许高博; 徐秋霞
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210067312.5, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2013-09-18
作者: 陈大鹏; 殷华湘; 徐秋霞; 赵超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210067446.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-09-18
作者: 赵超; 殷华湘; 付作振; 徐秋霞
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| 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210129587.7, 申请日期: 2015-10-14, 公开日期: 2013-10-30
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利
专利号: CN103545191A, 申请日期: 2014-01-29,
作者: 殷华湘; 杨红; 马雪丽; 王文武; 韩锴
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| 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利
专利号: CN103545190A, 申请日期: 2014-01-29,
作者: 殷华湘; 杨红; 马雪丽; 王文武; 韩锴
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 一种低功函数金属栅形成方法 专利
专利号: CN103545182A, 申请日期: 2014-01-29,
作者: 马雪丽; 韩锴; 王晓磊; 王文武; 杨红
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| 具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110329080.1, 公开日期: 2013-05-01
作者: 徐秋霞; 殷华湘; 陈大鹏
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