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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种限制器件模型适用温度范围的方法 专利
专利号: CN201510351261.2, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2015-10-21
作者: 卜建辉; 赵博华; 罗家俊; 韩郑生
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410838568.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-27
作者: 许淼; 朱慧珑; 赵利川
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| 一种FinFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者: 尹海洲; 刘云飞; 李睿
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| 一种CMOS结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459563.7, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者: 李睿; 刘云飞; 尹海洲
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| 一种基于IPD工艺的超宽频带功率分配器设计 期刊论文
微电子学与计算机, 2018
作者: 邱昕; 慕福奇; 马骁; 李瑞鹏
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| 一种FinFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459357.6, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-04-06
作者: 李睿; 尹海洲; 刘云飞
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| 堆叠纳米线制造方法 专利
专利号: CN201610080648.3, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-29
作者: 孟令款; 闫江; 徐秋霞
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| 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 专利
专利号: CN201721830326.2, 申请日期: 2018-07-17,
作者: 陆江; 刘海南; 卜建辉; 张国欢; 罗家俊
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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