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| 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201510888498.4, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2016-05-25 作者: 朱慧珑 ; 万光星
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| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利 专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04 作者: 赵佳; 朱阳军 ; 胡爱斌; 卢烁今![](/image/person.jpg)
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| 一种FinFET结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16 作者: 尹海洲 ; 刘云飞; 李睿
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| 一种FinFET结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410459357.6, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-04-06 作者: 李睿; 尹海洲 ; 刘云飞
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201310142184.0, 申请日期: 2018-06-22, 公开日期: 2014-10-22 作者: 赵志国; 殷华湘 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29 作者: 秦长亮; 洪培真 ; 殷华湘![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201110329579.2, 申请日期: 2017-04-12, 公开日期: 2013-05-01 作者: 赵超 ; 梁擎擎 ; 罗军 ; 钟汇才 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件的制造方法 专利 专利号: CN201110236626.9, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2013-03-06 作者: 赵超 ; 钟汇才 ; 罗军 ; 梁擎擎![](/image/person.jpg)
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| 半导体结构及其制造方法 专利 专利号: CN201210206401.3, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2014-01-15 作者: 叶甜春 ; 梁擎擎 ; 钟汇才 ; 朱慧珑 ; 赵超![](/image/person.jpg)
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利 专利号: CN201210080996.2, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2013-09-25 作者: 陈大鹏 ; 殷华湘 ; 马小龙; 秦长亮; 徐秋霞
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