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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 1-7 作者:  Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1 ];  Aierken, A (Aierken, A.)[ 1,2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 1,3 ];  Tan, M (Tan, M.)[ 4 ];  Wu, YY (Wu, Y. Y.)[ 4 ] 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2020/04/21 InGaAsP/InGaAs solar cell  Electron and proton irradiation  Degradation  Equivalent displacement damage dose model   1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   Photoluminescence spectra of 1 MeV electron beam irradiated In0.53Ga0.47As/InP quantum well and bulk materials 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258 作者:  Ma, LY (Ma Li-Ya);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Ai, EK (Ai Er-Ken);  Wang, HJ (Wang Hai-Jiao) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/01/25 In0.53ga0.47as/inp  Quantum Well  Electron Beam Irradiation  Photoluminescence   低能电子束非电离能损(NIEL)的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  于新 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2016/05/10 NIEL  位移损伤效应  林哈德因子  p-i-n光电二极管  LED