×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
新疆理化技术研究所 [10]
内容类型
学位论文 [5]
期刊论文 [5]
发表日期
2022 [1]
2020 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2014 [2]
2012 [1]
更多...
学科主题
Engineerin... [1]
Physics [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:新疆理化技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1]
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2022/06/21
SRAM cells
Radiation effects
Arrays
Stability criteria
Circuit stability
Voltage measurement
Logic gates
Stability
static random-access memory (SRAM) cell
total ionizing dose (TID)
Time-Series Classification Based on Fusion Features of Sequence and Visualization
期刊论文
APPLIED SCIENCES-BASEL, 2020, 卷号: 10, 期号: 12, 页码: 1-25
作者:
Wang, BQ (Wang, Baoquan)[ 1,2,3 ]
;
Jiang, TH (Jiang, Tonghai)[ 1,3 ]
;
Zhou, X (Zhou, Xi)[ 1,3 ]
;
Ma, B (Ma, Bo)[ 1,2,3 ]
;
Zhao, F (Zhao, Fan)[ 1,3 ]
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/09/09
time series data
classification
fusion feature
visualization
area graph
attention
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
作者:
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Wang, HN (Wang Han-Ning)
;
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Yu, DZ (Yu De-Zhao)
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2016/12/12
total ionizing dose effects
deep sub-micron
metal oxide semiconductor field effect transistor
static random access memory
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
郑齐文
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2015/06/15
大规模集成电路
总剂量辐射
静态随机存储器
损伤机制
试验方法
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
张兴尧
收藏
  |  
浏览/下载:89/0
  |  
提交时间:2014/08/05
新型非易失存储器
传统非易失存储器
总剂量效应
辐射敏感参数
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 10
作者:
Zheng, Qi-Wen
;
Yu, Xue-Feng
;
Cui, Jiang-Wei
;
Guo, Qi
;
Ren, Di-Yuan
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2014/11/11
total dose irradiation
static random access memory
pattern imprinting
deep sub-micron
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
卢健
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2016/05/10
SRAM
大规模集成电路
不同偏置
总剂量辐射效应
辐射损伤
SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李明
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2016/05/24
SOI
SRAM
总剂量辐射效应
评估技术
实验方法
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李茂顺
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2016/05/26
SRAM
总剂量辐射效应
敏感参数
偏置条件
剂量率
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace