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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学 收藏  |  浏览/下载：272/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/10/18 场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线   总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249 作者:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2016/06/02 绝缘体上硅  电离辐射  热载流子   电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398 作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/06/26 绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声   电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256 作者:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/26 可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力   SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  李明 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/05/24 SOI  SRAM  总剂量辐射效应  评估技术  实验方法   SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  李明 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/24 Soi  Sram  总剂量辐射效应  评估技术  实验方法