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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  武大猷 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/09/27 电荷耦合器件  60Co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应   60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者:  武大猷 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/27 电荷耦合器件  60co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应   电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398 作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/06/26 绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声