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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/10/18 场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  余德昭 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/09/27 MOSFET  辐射效应  NBTI  可靠性   星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者:  余德昭 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/27 Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性