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苏州纳米技术与纳米... [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
2014 [4]
2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Surface morphology and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on freestanding GaN (0001) substrates
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2016
作者:
Zhou, Kun
;
Ren, Huaijin
;
Liu, Jianping(刘建平)
;
Ikeda, Masao
;
Ma, Yi
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Ikeda, M
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/31
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Influence of vicinal sapphire substrate on the properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 8
作者:
Su XJ(苏旭军)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/11/27
YELLOW LUMINESCENCE
STACKING-FAULTS
IMPURITY INCORPORATION
Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 6
作者:
Zhang YM(张育民)
;
Fan YM(樊英民)
;
Xu GZ(徐耿钊)
;
Xu K(徐科)
;
Zhong HJ(钟海舰)
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2014/11/27
ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT
PROPAGATION PROPERTIES
ON-SAPPHIRE
VELOCITY
NITRIDE
DEVICES
Atomic-scale behavior of adatoms in axial and radial growth of GaN nanowires: Molecular dynamics simulations
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 8
作者:
Yang H(杨辉)
;
Xu K(徐科)
;
Bian LF(边历峰)
;
Gong XJ(弓晓晶)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2014/12/02
BEAM EPITAXY
NANOWHISKERS
NUCLEATION
SI(111
FILM
Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199
作者:
Cai, Y (蔡勇)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/02/03
Self-terminating
normally-off
AlGaN/GaN MOSFET
GaN cap layer
gate recess
recess mask
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48
作者:
Ren, GQ(任国强)
;
Xu, K(徐科)
;
Su, XJ(苏旭军)
;
Yang, H(杨辉)
;
Zhou, TF(周桃飞)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2014/01/12
Defects
Etching
Hydride vapor phase epitaxy
Nitrides
Strain relaxation and optical properties of etched In0.19Ga0.81N nanorod arrays on the GaN template
期刊论文
Chin. Phys. B, 2012, 卷号: 21, 期号: 8
作者:
Wang Jian-Feng (王建峰)
;
Yang Hui (杨辉)
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2013/01/16
ELECTRONIC STRUCTURE
MAGNETIC
OPTICAL PROPERTIES
Growth behavior of GaN film along non-polar [11-20] directions
期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1
作者:
Xu K (徐科)
;
Gong XJ (弓晓晶)
;
Zhang JP(张锦平)
;
Li FB(边历峰)
;
Yang H (杨辉)
收藏
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浏览/下载:338/135
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提交时间:2011/03/11
Gallium nitride
Growth behavior
Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD
期刊论文
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:
Qiu YX (邱永鑫)
;
Huang J (黄俊)
;
Xu K (徐科)
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浏览/下载:186/63
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提交时间:2011/03/13
Semiconductors
Thin films
Surfaces
Luminescence
Nonpolar
GaN
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