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苏州纳米技术与纳米仿... [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2016 [2]
2013 [2]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2
作者:
Wu, YY
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Lu, SL(陆书龙)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2017/03/11
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:
Sun, SC
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, ZL
;
Song, L
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2017/03/11
Characterization of the lattice mismatched In-0.68 Ga-0.32 As Material Grown on InP substrate by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 118-121
作者:
Lu, SL(陆书龙)
;
Ji, L(季莲)
;
Zhao, YM(赵勇明)
;
Chen, ZM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2014/01/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-PERFORMANCE
CELLS
Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48
作者:
Ji, L(季莲)
;
Zhao, YM(赵勇明)
;
Yang, H(杨辉)
;
Dong, JR(董建荣)
;
Lu, SL(陆书龙)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/01/09
Organometallic vapor phase epitaxy
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